Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2016 Wolumin vol. 24 Numer No 2 Autorzy Ściana, B. ; Badura, M. ; Dawidowski, W. ; Bielak, K. ; Radziewicz, D. ; Pucicki, D. ; Szyszka, A. ; Żelazna, K. ; Tłaczała, M. Słowa kluczowe InGaAs/InP heterostructures ; silicon-doping ; InGaAs plasmon-contact layer ; quantum cascade lasers Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 95-102 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 21.04.2016 Typ Article Identyfikator ISSN 1896-3757 Źródło Opto-Electronics Review; 2016; vol. 24; No 2; 95-102