Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Analysis of triple metal surrounding gate (TM-SG) III–V nanowire MOSFET for photosensing application Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2018 Wolumin vol. 26 Numer No 2 Autorzy Sharma, S.K. ; Jain, A. ; Raj, B. Słowa kluczowe ATLAS-3D ; Dark current ; Photosensor ; Quantum efficiency ; Responsivity ; TM-SG nanowire MOSFET Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 141-148 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 27.04.2018 Typ Article Identyfikator ISSN 1896-3757 Źródło Opto-Electronics Review; 2018; vol. 26; No 2; 141-148