Tytuł artykułu

Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2016

Wolumin

vol. 24

Numer

No 1

Autorzy

Benyahia, D. ; Kubiszyn, Łukasz ; Michalczewski, Krystian ; Kębłowski, A. ; Martyniuk, Piotr ; Piotrowski, J. ; Rogalski, A.

Słowa kluczowe

MBE ; GaSb ; GaAs ; IR detectors

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

40-45

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

08.02.2016

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2016; vol. 24; No 1; 40-45

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar